STH180N4F6-2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Permintaan Harga & Waktu Timbal
STH180N4F6-2 tersedia, Kami dapat menyediakan STH180N4F6-2, menggunakan formulir permintaan penawaran untuk meminta STH180N4F6-2 pirce dan lead time.Atosn.com distributor komponen elektronik profesional.Kami memiliki inventaris besar dan dapat pengiriman cepat, Hubungi kami hari ini dan perwakilan penjualan kami akan memberi Anda harga dan detail pengiriman pada Bagian # STH180N4F6-2. Sertakan masalah bea cukai agar sesuai dengan negara Anda, Kami memiliki tim penjualan profesionaldan tim teknis, Kami berharap dapat bekerja sama dengan Anda.
Permintaan Kutipan
Parameter produk
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Teknologi
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paket Perangkat pemasok
- H2Pak-2
- Seri
- STripFET™ F6
- Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
- 2.4 mOhm @ 60A, 10V
- Power Disipasi (Max)
- 190W (Tc)
- Pengemasan
- Tape & Reel (TR)
- Paket / Case
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Suhu Operasional
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- mount Jenis
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Manufacturer Standard Lead Time
- 38 Weeks
- Status Gratis Memimpin / Status RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
- 7735pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 130nC @ 10V
- FET Jenis
- N-Channel
- Fitur FET
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
- 10V
- Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
- 40V
- Detil Deskripsi
- N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
- 120A (Tc)
produk sejenis
- STMicroelectronics STH180N4F6-2
- Lembar data STH180N4F6-2
- Lembar data STH180N4F6-2
- Lembar data pdf STH180N4F6-2
- Unduh lembar data STH180N4F6-2
- Gambar STH180N4F6-2
- STH180N4F6-2 bagian
- ST STH180N4F6-2
- STMicroelectronics STH180N4F6-2